2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100

بهینه سازی مولد پالسی با استفاده از الگوریتم های تکاملی

بهینه سازی مولد پالسی با استفاده از الگوریتم های تکاملی فهرست 1 مفاهیم اساسی 1-1مقدمه 2 1-2 ذخیره سازی 6 1-2-1منابع پالسی خازنی 6 1-2-2منابع پالسی سلفی 7 1-2-3نوسان ساز جبران کننده پالسی 7 1-2-4مولد های تک قطبی HPG 8 1-2-5نوسان ساز دیسکی 10 1-3 سوییچ های بسته شونده 10 1-3-1سوییچ های گازی 10 1-3-2سوییچ های بسته شونده نیمه هادی 11 1-3-3سوییچ های مغناطیسی 12 1-4 سوییچ های باز شونده 14 1-4-1فیوز 14 1-4-2قطع کننده مکانیکی 15 1-4-3سوییچ باز شونده ابر رسانا 15 1-4-4سویچ سیال (پلاسمایی) 15 1-4-5سوییچ باز شونده نیمه هادی 16 1-5 خطوط انتقال 17 2 کاربرد های توان پالسی 2-1 گداخت هسته ای 19 2-2 اثرات میدان الکتریکی پالسی بر روی ریز موجودات زنده 19 2-2-1غیر فعال سازی میکروبی 20 2-3 کاربرد ها در درمان سرطان 24 2-4 ساخت مواد 27 2-4-1 ورقهای فلزی 27 2-4-2 پرداخت اولیه چوب با پالسهای لیزر 27 2-4-3 لایه نشانی سخت 29 2-4-4شکل دادن فلز در سرعت بالا 29 2-4-4-1 هیدرو پالسر 30 2-5 نفت و صنایع شیمیایی 31 2-5-1تولید اُزن 31 2-5-2شکستن امولسیون نفت خام با میدانهای الکتریکی ولتاژ بالای پالسی 32 2-6 تصفیه گاز 33 2-7 تصفیه آب و فاضلاب 34 3 پیشینه تحقیق و روش پیشنهادی 3-1 نیازمندیهای مولد پالسی در مهندسی مواد 37 3-2 مولد مارکس 38 3-3 مولد پالسی مارکس تکرار شونده حالت جامد 40 3-3-1شارژ 40 3-4 معرفی کلید زنی پیشنهادی با استفاده از الگوریتم ژنتیک 44 3-4-1الگورییتم ژنتیک 46 3-4-2مزایای استفاده از الگوریتم ژنتیک 50 3-5 جبران سازی لبه پالس ولتاژ 50 3-5-1روش جبران سازی مدولاسیون عرض پالس 52 3-5-2طراحی پارامتر های جبران کننده مدولاسیون عرض پالس 53 3-5-3 سیگنال فرمان MOSFET 54 3-5-4 ولتاژ منبع تغذیه کمکی 57 3-5-5 خازن Ccp 57 3-6 مدار پیشنهادی برای جبران‌سازی مولد مارکس 58 4 نتایج شبیه سازی 4-1 تنظیم زمانهای تریگر واحدها 60 4-2 جبران سازی لبه پالس 64 4-3 بهبود شکل پالس به کمک جبران سازی 71 5 نتیجه گیری و پیشنهادات 5-1 نتیجه گیری 74 5-2 پیشنهادات 74 مراجع 76 چکیده انگلیسی 79 ضمیمه 80 فهرست جداول: جدول 1-1محدوده توان پالسی 2 جدول1-2 مقایسه محدوده عملکرد سوییچ های بسته شونده از دید بیشینه ولتاژ و جریان قابل تحمل 13 جدول 1-3 مقایسه سوییچ های باز شونده 16 جدول 2-1 مشخصات دستگاه برش پالسی 30 جدول 4-1 پارامترهای مدار 64 جدول 4-2 نتایج بدست آمده برای جبران سازی سطح پالس 71 فهرست شکلها و تصاویر: شکل 1-1 نمودار کلی یک مولد پالس 2 شکل 1-2 شکل ظاهری پالس 3 شکل 1-3شمای مولد پالسی با ذخیره ساز خازنی 5 شکل 1-4شمای مولد پالسی با ذخیره ساز سلفی 6 شکل1-5 نوسانساز جبران کننده پالسی 8 شکل 1-6مولد تک قطبی 9 شکل 1-7نوسان ساز دیسکی 10 شکل 1-8 نمایی از سوییچ تریگاترون 11 شکل 1-9نمودار مغناطیس شوندگی هسته سوییچ مغناطیسی 12 شکل 1-10 شمای سوییچ سیال 15 شکل 1-11 مدار با خط انتقال 17 شکل 2-1 محفظه عملیات دیسکی شکل 21 شکل 2-2 محفظه عملیات استوانه ای 21 شکل 2-3 محفظه عملیات میله ای 22 شکل 2-4 محفطه عملیات پیوسته ساده باحفره در عایق آن 22 شکل 2-5 محفظه عملیات پیوسته 23 شکل 2-6 محفظه عملیات پیوسته 23 شکل 2-7 طرح مولد پالس استفاده شده برای درمان سرطان 24 شکل 2-8 طرح سیم پیچ هلم هولتز 25 شکل 2-9 محفظه عملیاتی درمان سرطان 25 شکل 2-10 پالسهای مغناطیسی اعمال شده برای درمان سرطان 26 شکل2-11ورق تولید شده توسط شرکت کابایلی با روش توان پالسی 28 شکل 2-12 مدار به کار رفته برای شکل دهی هیدرولیک 30 شکل 3-1 جریان بار مورد نیاز در ساخت ورق فلزی 37 شکل3-2 مولد مارکس کلاسیک 39 شکل3-4 مدار تخلیه مارکس کلاسیک 39 شکل3-5 مولد پالسی مارکس تکرار شونده حالت جامد 40 شکل3-6 مدار شارژ مولد مارکس حالت جامد 40 شکل3-7 مدار تخلیه خازنهای مولد مارکس حالت جامد 41 شکل3-8 الف سیگنال فرمان سوییچهای فرد ب سیگنال فرمان سوییچ های زوج 43 شکل 3-9 پالس الگو 44 شکل3-10 فلوچارت الگوریتم ژنتیک 47 شکل3-11مدار معادل تخلیه خازن 50 شکل 3-12 شکل موج ولتاژ خازن در زمان تخلیه 51 شکل 3-13 مدار معادل مولد مارکس متوالی با جبران کننده PWM 52 شکل 3-14 روش کار در جبران سازی PWM 53 شکل 3-15 سیگنال فرمان مورد نیاز با دوره کاری متغیر 54 شکل 3-16 تولید سیگنال فرمان با مقایسه موج دندان اره ای و مربعی 55 شکل ‏0‑18 الف افت ولتاژ سطح پالس ب ولتاژ جبران ساز 57 شکل ‏0‑19 مدار جبران ساز پیشنهادی 58 شکل4-1 مولد حالت جامد با چهار واحد 60 شکل4-2ولتاژ الگوی مثلثی 61 شکل 4-3 ولتاژ بار مدار چهار واحده مثلثی 61 شکل 4-4ولتاژ الگوی سینوسی 62 شکل 4-5 ولتاژ بار مدار چهار واحده سینوسی 62 شکل 4-6 جریان IGBT مدار تولید پالس مثلثی 63 شکل 4-7 ولتاژ IGBT مدار تولید پالس مثلثی 63 شکل 4-8 مدار فرمان تولید موج PWM 65 شکل 4-9 مدار پیشنهادی 65 شکل 4-10 ولتاژ پالسی بار بدون جبران سازی 66 شکل 4-11 ولتاژ پالسی بار با جبران سازی همزمان خازنها 66 شکل 4-12 بزرگنمایی ابتدای ولتاژ پالسی بار 67 شکل 4-13 بزرگنمایی انتهای ولتاژ پالسی بار 67 شکل 4-14 افت ولتاژ بار و ولتاژ جبران ساز 68 شکل 4-15 ولتاژ پالسی بار با جبران سازی نوبتی خازنها 69 شکل 4-16 بزرگنمایی لحظه ی نیمه ولتاژ پالسی بار 69 شکل 4-17 پالس ولتاژ بار بعد از فیلتر کردن توسط ترانس 70 شکل 4-18 ولتاژ پالس مثلثی مدار چهار واحده بهبود یافته با جبران سازی PWM 72 شکل4-19 بزرگنمایی شکل 4-18 72 دریافت فایل

نمونه سوالات ارشد فراگیر رشته حقوق خصوصی از سال 86 تا 95

نمونه سوالات ارشد فراگیر رشته حقوق خصوصی از سال 86 تا 95 نمونه سوالات ارشد فراگیر رشته حقوق خصوصی از سال 86 تا 95 مجموعه سوالات ارشد فراگیر حقوق خصوصی مجموعه سوالات ارشد فراگیر حقوق خصوصی : کاملترین پکیج سوالات کارشناسی ارشد فراگیر رشته حقوق خصوصی شامل سوالات پایان ترم دانشگاه پیام نور برای دروس اعلام شده ( دروس منبع ) و سوالات کنکور های فراگیر رشته حقوق خصوصی از سال 86 تا 92 می باشد که جهت آمادگی کنکور کارشناسی ارشد فراگیر رشته حقوق خصوصی تهیه […] بخش اول سوالات کنکور های کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 86 تا 94 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 86 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 87 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 88 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 89 + پاسخنامه اصلی - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 90 اردیبهشت - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 90 دی - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 91 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 92 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 93 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 94 - نمونه سوالات کارشناسی ارشد فراگیر حقوق خصوصی سال 95 دریافت فایل

تشخیص اشباع و جبران سازی اعوجاج جریان ثانویه CT با درنظرگرفتن تغییر ساختار معمولی سیستم قدرت

تشخیص اشباع و جبران سازی اعوجاج جریان ثانویه CT با درنظرگرفتن تغییر ساختار معمولی سیستم قدرت فهرست مطالب عنوان صفحه فهرست جدول‌ها‌ح فهرست شکل‌‌ها‌ط فصل 1-.. مقدمه 1-1- مقدمه 2 1-2- مروری بر کارهای انجام شده3 1-3- ساختار پایان نامه4 فصل 2-.. ترانسفورماتور جریان 2-1- مقدمه 6 2-2- معرفی انواع ترانسفورماتورهای جریان6 2-3- کمیتهای مهم در ترانسفورماتور جریان حفاظتی8 2-4- مدار معادل ترانسفورماتور جریان10 2-5- شار هسته ترانسفورماتور جریان در شرایط خطا10 2-6- اشباع ترانسفورماتور جریان حفاظتی12 2-6-1-عوامل تأثیرگذار بر اشباع13 2-7- جمع­بندی13 فصل 3- روشهای آشکارسازی پدیده اشباع ترانسفورماتور جریان 3-1- مقدمه 16 3-2- آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر مشتق مرتبه سوم16 3-3- آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر تبدیل موجک گسسته19 3-3-1- توابع مادر و خصوصیات آنها20 3-3-2- رفتار فیلتری و مشخصه فرکانسی توابع و 24 3-3-3- وابستگینرخنمونهبرداریبهبالاترینحدفرکانسی24 3-3-4- انواع دیگر توابع مادر26 3-4- آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش ریخت­شناسی ریاضیاتی یک­بعدی28 3-4-1- عملگرهای اساسی MM28 3-4-2- فیلترهای MM29 3-4-3- اجزاء ساختاری (SE)29 3-4-4- آشکارسازی اشباع مبتنی بر روش MM30 3-5- آشکارسازی پدیده اشباع با استفاده از روش ریخت­شناسی پیشرو33 3-5-1- عملگرهای MLS33 فصل 4- مدلسازی و مقایسه روشهای آشکارسازی پدیده اشباع 4-1- مقدمه 37 4-2- مدلسازی ترانسفورماتور جریان37 4-3- نتایج حاصل از آشکارسازی پدیده اشباع CT مبتنی بر روش مشتق مرتبه سوم42 4-4- نتایج حاصل از آشکارسازی پدیده اشباع با استفاده از روش تبدیل موجک43 4-4-1- آستانه گذاری تطبیقی44 4-5- نتایج حاصل از آشکارسازی پدیده اشباع CT با استفاده از روش پیشنهادی MM45 4-6- نتایج حاصل از آشکارسازی پدیده اشباع CT مبتنی بر MLS47 4-7- مقایسه روشهای بررسی شده آشکارسازی پدیده اشباع CT48 فصل 5-.. روشهای جبرانسازی جریان معوج ثانویه ترانسفورماتور جریان 5-1- مقدمه 51 5-2- جبرانسازی جریان معوج ثانویه CT با استفاده از روش حداقل مربعات خطا (LSE)51 5-2-1- روش حداقل مربعات خطا (LSE)51 5-2-2- استفاده از روش LSE برای جبرانسازی جریان معوج ثانویه CT53 5-3- جبرانسازی جریان معوج ثانویه CT مبتنی روش تخمین جریان مغناطیس­کنندگی55 5-4- روش پیشنهادی جبرانسازی جریان معوج ثانویه CT با استفاده از شبکه عصبی 59 5-4-1- فرایند آموزش شبکه عصبی59 5-4-2- جبرانسازی جریان معوج ثانویه با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی60 5-5- مقایسه روشهای بررسی شده جبرانسازی جریان معوج ثانویه CT70 فصل 6- روشهای پیشنهادی پایان­نامه بمنظور آشکارسازی پدیده اشباع و جبرانسازی جریان معوج­ CT در شرایط Online 6-1- آشکارسازی پدیده اشباع CT مبتنی بر روش ریخت­شناسی ریاضیاتی در شرایط Online ......................73 6-2- جبرانسازی جریان معوج ثانویه در شرایط Online مبتنی بر روش پیشنهادی حداقل مربعات خطای اصلاح شده (MLSE)75 6-2-1- امکان بکارگیری در شرایط Online77 6-3- فلوچارت پیاده­سازی آشکارسازی آشکارسازی پدیده اشباع CT و جبران سازی جریان معوج ثانویه در شرایط Online77 فصل 7-.. جمع­بندی، نتیجه­گیری و ارائه پیشنهادات 7-1- جمع­بندی و نتیجه­گیری81 7-2- پیشنهادات82 فهرست مراجع83 پیوست یک 87 پیوست دو 90 فهرست جدول‌ها عنوان صفحه جدول ‏4‑1 : مدت زمان پیاده­سازی روشهای آشکارسازی پدیده اشباع49 جدول ‏5‑1 : اطلاعات شرایط ساختاری در نظر گرفته شده برای آموزش شبکه عصبی مصنوعی به ازای مقاومت خطای صفر اهم64 جدول ‏5‑2 : اطلاعات شرایط ساختاری در نظر گرفته شده برای آموزش شبکه عصبی مصنوعی به ازای مقاومت خطای 25/1 اهم65 جدول ‏5‑3 : اطلاعات شرایط ساختاری در نظر گرفته شده برای آموزش شبکه عصبی مصنوعی به ازای مقاومت خطای 5/2 اهم66 جدول ‏5‑4 : اطلاعات شرایط ساختاری در نظر گرفته شده برای آموزش شبکه عصبی مصنوعی به ازای مقاومت خطای 75/3 اهم67 جدول ‏5‑5 : اطلاعات شرایط ساختاری در نظر گرفته شده برای آموزش شبکه عصبی مصنوعی به ازای مقاومت خطای 5 اهم68 فهرست شکل‌‌ها عنوان صفحه شکل ‏2‑1 : نحوه­ی اتصال CT به شبکه قدرت6 شکل ‏2‑2: مدار معادل ترانسفورماتور جریان10 شکل ‏2‑3 : جریان اولیه و ثانویه اشباع­شده CT13 شکل ‏3‑1 : جریان اولیه منتقل شده به ثانویه و جریان ثانویه CT16 شکل ‏3‑2 : تخمین جریان با استفاده از مشتقات مرتبه اول (الف)، دوم (ب) و سوم (ج)18 شکل ‏3‑3 : نمونه­ای از تابع مادر (db10) و تابع عمود بر آن[23]21 شکل ‏3‑4 : پروسه محاسبهضرایبمولفهدقیقوتقریبیدرمراحلمختلفتجزیه23 شکل ‏3‑5 : مشخصه فرکانسی فیلتر موجک با تابع مادر در مراحل مختلف تجزیه23 شکل ‏3‑6 : مشخصهفرکانسیتوابعمادرمختلفبهازایفرکانسنمونهبرداری 10 کیلوهرتز25 شکل ‏3‑7: مشخصهفرکانسیتابعمادر (db2)بهازایفرکانسنمونهبرداری 5 کیلوهرتز26 شکل ‏3‑8: تابع Haar گسسته26 شکل ‏3‑9: توابع Daubechies پیوسته27 شکل ‏3‑10 : تابع Mexican Hat پیوسته27 شکل ‏3‑11 : تابع Morlet پیوسته27 شکل ‏3‑12 : تابع Meyer پیوسته27 شکل ‏3‑13 : نتیجه اعمال عملگرها و فیلترهای MM بر سیگنالf30 شکل ‏3‑14 : اشکال مورد استفاده برای اجزاء ساختاری30 شکل ‏3‑15 : تبدیل فوریه سیگنال جریان ثانویه CT در شرایط عادی سیستم و در شرایط خطا بدون معوج شدن سیگنال31 شکل ‏3‑16 : تبدیل فوریه سیگنال جریان ثانویه CT در شرایط عادی سیستم و در شرایط خطا و معوج شدن سیگنال جریان31 شکل ‏3‑17 : نتیجه اعمال فیلترهای متوسط­گیر و تفاضلی بر سیگنال f32 شکل ‏3‑18 : گام­های روش MLS33 شکل ‏3‑19 : نتیجه اعمال عملگرهای MLS بر سیگنال 34 شکل ‏4‑1 : مدار آزمایشگاهی استخراج منحنی هیسترزیس هسته CT38 شکل ‏4‑2 : ترانسفورماتور جریان مدلسازی شده در نرمافزار EMTP-RV39 شکل ‏4‑3 : منحنی رفت هیسترزیس مدل­شده در فیلتر هیسترزیس39 شکل ‏4‑4 : منحنی هیسترزیس مدلسازی شده در نرم افزار EMTP-RV39 شکل ‏4‑5 : شبکه انتقال (شبیه سازی شده در نرم افزار EMTP-RV )40 شکل ‏4‑6 : شبکه انتقال مورد بررسی (قسمتی از شبکه ایران)41 شکل ‏4‑7 : نمونه سیگنال جریان خروجی پست شماره 2 به ازای اتصال کوتاه در 25 میلی ثانیه41 شکل ‏4‑8 : نمونه سیگنال جریان خروجی پست شماره 2 به ازای اتصال کوتاه در 25 میلی ثانیه از دید ثانویه CT41 شکل ‏4‑9 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش مشتق مرتبه سوم به ازای وقوع خطا در زاویه صفر درجه جریان42 شکل ‏4‑10 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش مشتق مرتبه سوم به ازای وقوع خطا در زاویه 180 درجه جریان42 شکل ‏4‑11 :آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش تبدیل موجک به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان44 شکل ‏4‑12 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش تبدیل موجک به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان44 شکل ‏4‑13 : سیگنال اجزا ساختاری مناسب برای سیستم­های قدرت با طول 20 نمونه45 شکل ‏4‑14 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MM به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان46 شکل ‏4‑15 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MM به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان46 شکل ‏4‑16 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MLS به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان47 شکل ‏4‑17 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MLS به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان48 شکل ‏5‑1 : جریان­های اولیه ارجاع داده شده به ثانویة و جریان ثانویه CT در حالت اشباع­شده54 شکل ‏5‑2 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش LSE به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان55 شکل ‏5‑3 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش LSE به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان55 شکل ‏5‑4 : مدار معادل CT56 شکل ‏5‑5 : جریانهای اولیه و ثانویة معوج CT56 شکل ‏5‑6 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش MLS به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان58 شکل ‏5‑7 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش MLS به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان59 شکل ‏5‑10 : ساختار شبکه عصبی مصنوعی انتخاب شده60 شکل ‏5‑8 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی آموزش دیده بوسیله اطلاعات شبکه با ساختار ثابت61 شکل ‏5‑9 : جبرانسازی جریان ثانویه CT موجود در شبکه تغییر ساختار یافته با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی آموزش دیده بوسیله اطلاعات شبکه با ساختار ثابت62 شکل ‏5‑11 : جبرانسازی جریان ثانویه CT موجود در شبکه تغییر ساختار یافته با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی آموزش دیده بوسیله اطلاعات شبکه با در نظر گرفتن تغییرات ساختاری ممکن در شبکه نمونه69 شکل ‏5‑12 : جبرانسازی جریان ثانویه CT موجود در شبکه تغییر ساختار یافته با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی آموزش دیده بوسیله اطلاعات شبکه با در نظر گرفتن تغییرات ساختاری ممکن در شبکه نمونه69 شکل ‏6‑1 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MM در شرایط Online به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان74 شکل ‏6‑2 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MM در شرایط Online به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان74 شکل ‏6‑3 : آشکارسازی پدیده اشباع مبتنی بر روش MM در شرایط Online به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان75 شکل ‏6‑4 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش MLSE به ازای خطا در زاویه صفر درجه جریان76 شکل ‏6‑5 : جبرانسازی جریان ثانویه CT با استفاده از روش MLSE به ازای خطا در زاویه 180 درجه جریان77 شکل ‏6‑6 : فلوچارت آشکارسازی پدیده اشباع CT و جبران سازی جریان معوج ثانویه در شرایط Online78 دریافت فایل

بسته آموزش ساخت شماره های مجازی تلگرام + نرم افزار ساخت شماره

بسته آموزش ساخت شماره های مجازی تلگرام + نرم افزار ساخت شماره تنها پکیج ساخت شماره مجازی نامحدود در اینترنت ارائه از ناب ترین های آندروید به صورت نامحدود شماره مجازی آمریکا و کانادا بسازید دریافت کد فعال سازی در 5 ثانیه قابل استفاده در تمامی مسنجرها و شبکه های اجتماعی از جمله تلگرام بدون نیاز پرداخت هزینه به ازای هر خط مزایای استفاده ازاین پکیج : -در این پکیج خریداران میتوانند هزاران شماره مجازی برای مسنجرها و شبکه های اجتماعی بدون محدودیت ایجاد نمایند. -با استفاده از این برنامه و ساخت شماره مجازی می توانید کسب درآمد نمایید. -شما دیگر نیاز به برنامه های ایجاد شماره مجازی که دیگر امروزه منسوخ و از کار افتاده اند ندارید با این برنامه در کمتر از 5 ثانیه شماره خود را بسازید و از آن در تمامی شبکه های اجتماعی استفاده نمایید. دریافت فایل

تشخیص و طبقه بندی عیوب داخلی ترانسفورماتور های قدرت با استفاده از درخت تصمیم مبتنی بر شبیه سازی مدل الکتریکی ترانسفورماتور

تشخیص و طبقه بندی عیوب داخلی ترانسفورماتور های قدرت با استفاده از درخت تصمیم مبتنی بر شبیه سازی مدل الکتریکی ترانسفورماتور فهرست مطالب عنوان صفحه 1-مقدمه.. 1 1-1- مقدمه.. 1 1-2- بیان مسئله.. 2 1-3- مروری بر مقالات.. 3 1-4- ساختار پایاننامه.. 6 2- عوامل خرابی ترانسفورماتور و روشهای تشخیص آنها.. 8 2-1- عوامل خرابی ترانسفورماتور.. 8 2-1-1- عوامل خرابی از نگاه سیستمی.. 8 2-1-2- عوامل خرابی از نگاه مکان خطا.. 9 2-2- اجزای ترانسفورماتور و نقش آنها در بروز خطا.. 10 2-2-1- خطاهای مربوط به تانک.. 11 2-2-2- خطاهای مربوط به هسته.. 11 2-2-3- خرابی تپچنجر زیر بار.. 12 2-2-4- خرابی بوشینگ.. 12 2-2-5- خرابیهای سیمپیچ.. 12 3- مدلسازی ترانسفورماتور.. 17 3-1- تاریخچه مدلسازی ترانسفورماتور.. 17 3-2- کاربرد مدلهای ترانسفورماتور.. 18 3-2-1- تحلیل گذرای سیمپیچ.. 18 3-2-2- تحلیل گذرای سیستم.. 18 3-2-3- مکانیابی تخلیه جزیی.. 18 3-2-4- تحلیل پاسخ فرکانسی.. 19 3-3- انواع مدلهای ترانسفورماتور.. 19 3-3-1- مدل خط انتقال.. 20 3-3-2- مدل اندوکتانس نشتی.. 20 3-3-3- مدل مبتنی بر اصل دوگان.. 20 3-3-4- مدل میدان الکترومغناطیسی.. 21 3-3-5- مدل مقاومت اندوکتانس و ظرفیت خازنی هندسی (RLC)(متمرکز) 21 3-4- مدل متمرکز الکتریکی.. 21 3-5- محاسبه پارامترهای مداری مدل متمرکز.. 23 3-5-1- اندوکتانس.. 24 3-5-2- مقاوت سیمپیج.. 28 3-5-3- خازن.. 30 3-5-4- تلفات دی الکتریک.. 37 4- پاسخ فرکانسی.. 39 4-1- مقدمه.. 39 4-2- تحلیل پاسخ فرکانسی.. 39 4-2-1- ضربه ولتاژ پایین.. 40 4-2-2- تحلیل جاروب پاسخ فرکانسی.. 40 4-3- تابع تبدیل.. 41 4-4- آرایشهای مختلف تست پاسخ فرکانسی.. 42 4-4-1- تست نوع اول.. 42 4-4-2- تست نوع دوم.. 42 4-4-3- تست نوع سوم.. 43 4-4-4- تست نوع چهارم.. 43 4-5- تحلیل مداریمدل متمرکز.. 43 4-5-1- مدل متغیر حالت.. 46 4-5-2- تعیین تابع تبدیل.. 47 5- آنالیز خطا.. 49 5-1- مقدمه.. 49 5-2- پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در حالت سالم.. 49 5-2-1- تست نوع اول برای سیمپیچ فشارقوی.. 49 5-2-2- تست نوع سوم.. 50 5-3- روش تحلیل اندازهگیریهای FRA.. 51 5-3-1- رنج فرکانسی پایین.. 51 5-3-2- رنج فرکانسی متوسط.. 51 5-3-3- رنج فرکانسی بالا.. 51 5-4- آنالیز حساسیت.. 52 5-4-1- تغییر فاصله بین دیسکی.. 52 5-4-2- اثرتغییرات شعاع.. 54 5-5- اثر عیوب بر نحوه تغییر پاسخ فرکانسی.. 56 5-5-1- تغییرات شعاعی.. 57 5-5-2- خطایجابهجایی محوری.. 59 5-5-3- تغییر فضای بین دیسکها.. 60 5-5-4- خطایاتصال حلقه.. 61 5-6- دیاگرام ولتاژ- جریان.. 62 6- الگوریتم های طبقه بندی.. 65 6-1- مقدمه.. 65 6-2- انتخاب سیستم خبره.. 66 6-2-1- شبکههای عصبی.. 66 6-2-2- درخت تصمیم.. 67 6-3- شاخصها.. 72 6-3-1- شاخصهای آماری.. 73 6-3-2- شاخصهای سیگنالی.. 74 6-4- پیادهسازی درخت تصمیم به منظور طبقهبندی خطا در ترانسفورماتور.. 76 6-4-1- سناریو اول.. 77 6-4-2- سناریو دوم.. 82 7- نتیجه‌گیری و پیشنهادات.. 88 7-1- نتیجه‌گیری.. 88 7-2- پیشنهادات.. 90 پیوست الف- وابستگی نفوذپذیری مغناطیسی با فرکانس.. 91 پیوست ب- محاسبه ظرفیت خازنی سری در سیمپیج دیسکی.. 93 ب- 1: ظرفیت خازنی معادل دور به دور در یک دیسک.. 93 ب- 2: ظرفیت خازنی معادل دیسک به دیسک.. 93 پیوست ج- تحلیل مداری مدل متمرکز.. 95 ج-1- معادله دیفرانسیل برای ظرفیت خازنی.. 95 ج-2- معادله دیفرانسیل برای اندوکتانس.. 95 ج-3- محاسبات ولتاژی و جریانی.. 96 ج-4- تعریف ماتریسهای عناصر مداری با توجه به درخت.. 97 پیوست د- آشنایی با عملکرد درخت تصمیم.. 101 پیوست ی- مشخصات فنی ترانسفورماتور.. 106 فهرست علایم و نشانه‌ها عنوان علامت اختصاری شار ماکزیمم ولتاژ اعمالی به سیم­پیچ فرکانس تعداد دورهای سیم­پیچ فشار قوی تعداد دورهای سیم­پیچ فشارضعیف نیروی الکترومغناطیسی طول مسیر مغناطیسی جریان سیم­پیچ چگالی شار مقاومت سری فشارقوی مقاومت سری فشارضعیف اندوکتانس مرکب سری فشارقوی اندوکتانس مرکب سری فشارقوی ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارقوی ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارضعیف ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارقوی با زمین ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارضعیف با زمین ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقوی X , Y ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقویY , Z رلوکتانس مدارمغناطیسی سطح مقطع متوسط هسته ضریب نفوذپذیری مغناطیسی هسته اندوکتانس فاز X رلوکتانس بخش مغناطیسی بخش مغناطیسی اندوکتانس فاز X طول مسیر مغناطیسی ستون هسته طول مسیر مغناطیسی یوغ هسته اندوکتانس نشتی کلی فاز X اندوکتانس کل(مغناطیسی و نشتی) فاز X ضریب پراکندگی ثابت نسبت مقیاس نفوذپذیری مختلط مغناطیسی نفوذپذیری مغناطیسی نسبی ثابت انتشار ضخامت ورقه هسته بخش حقیقی نفوذپذیری بخش حقیقی نفوذپذیری امپدانس سیم­پیچ با هسته هوایی مقاومت سیم­پیچ با هسته هوایی اندوکتانس با هسته هوایی رلوکتانس کویل فاز X رلوکتانس پنجره هسته رلوکتانس مغناطیسی بخش پنجره هسته شعاع سیم­پیچ i ام اتفاع بین دو سیم­پیچ مقاومت پوستی مقاومت مستقیم مقاومت مجاورت رسانایی عمق نفوذ ضریب گذردهی الکتریکی خلا ضریب گذردهی نسبی الکتریکی محیط ارتفاع تغییر یافته سیم­پیچ شعاع داخلی سیم­پیچ شعاع خارجی سیم­پیچ ضریب گذردهی الکتریکی مختلط تعداد طبقات مدل الکتریکی متمرکز ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک ضخامت هادی در هر دیسک تعداد دورهای یک دیسک تعداد دیسک­های ادغام شده مقاومت سری در مدل متمرکز مقاومت سری تبدیل شده کنداکتانس موازی در مدل متمرکز آنتروپی آنتروپی نرمالیزه شده انرژی انرژی نرمالیزه شده مرکز ثقل بیضی فهرست جدول‌ها عنوان صفحه جدول ‏3‑1: ماتریس اندوکتانس ترانسفورماتور سه فاز.. 25 جدول ‏3‑2: مقادیر گذردهی الکتریکی مواد در 2محیط روغنی و بیروغن[8].. 33 جدول ‏6‑1: مقادیر نرمالیزه شده ویژگی های مورد استفاده - یک حالت برای هر خطا.. 78 جدول ‏6‑3: مقایسه شش درخت تصمیم.. 86 فهرست شکل‌‌ها عنوان صفحه شکل ‏2‑1: میزان تاثیر اجزای ترانسفورماتور در رخداد خطا]2[11 شکل ‏2‑2: شماتیک ترانسفورماتور سه ستونه با اتصال حلقه[37] 13 شکل ‏2‑3: توزیع شار نشتی و نیروهای شعاعی و محوری ایجاد شده توسط آن.. 14 شکل ‏2‑4: برش از بالا- نیروی وارده بر استوانه سیمپیچ.. 14 شکل ‏2‑5: تغییر شکل-سمت راست: Free- سمت چپ: Force. 15 شکل ‏2‑6: جابه جایی محوری سیم پیچ ها نسبت به هم.. 15 شکل ‏2‑7: تغییر فضای بین دو دیسک متوالی.. 16 شکل ‏3‑1: اولین مدل ترانسفورماتور[40].. 17 شکل ‏3‑2: مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور برای فاز X[46]22 شکل ‏3‑3: مدار مغناطیسی معادل ترانسفورماتور سه فاز.. 24 شکل ‏3‑4: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس.. 26 شکل ‏3‑5: توزیع چگالی شار مغناطیسی در پنجره هسته(از سمت فشارضعیف به طرف فشارقوی)[35].. 28 شکل ‏3‑6: بخشهای iام و jام سیمپیچ.. 28 شکل ‏3‑7: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی.. 30 شکل ‏3‑8: برش از بالا- نحوه قرارگیری سیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور.. 30 شکل ‏3‑9: خازن استوانهای.. 31 شکل ‏3‑10: سیستم عایقی بین سیم پیچ فشارقوی و فشارضعیف.. 32 شکل ‏3‑11: مدل ساده شده سیستم عایقی.. 32 شکل ‏3‑12: برش بالای استوانه های موازی.. 33 شکل ‏3‑13: هادی استوانه ای در برابر صفحه زمین شده.. 34 شکل ‏3‑14: ظرفیت های خازنی دوربهدور و دیسک به دیسک در سیم پیچی دیسکی[46].. 35 شکل ‏3‑15: یک جفت دیسک سیمپیچ فشارقوی[46].. 36 شکل ‏3‑16: سیستم عایقی ساده شده بین دیسکی[53].. 36 شکل ‏3‑17: مدار ساده شده به منظور محاسبه ظرفیت خازنی سری.. 37 شکل ‏4‑1: پیکربندی تست نوع اول[52].. 42 شکل ‏4‑2: پیکربندی تست نوع سوم[52].. 43 شکل ‏4‑3: درخت نرمال توصیفی مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور[46] 44 شکل ‏5‑1: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع اول.. 50 شکل ‏5‑2: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع سوم.. 51 شکل ‏5‑3: اثر افزایش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53 شکل ‏5‑4: اثر کاهش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53 شکل ‏5‑5: اثر افزایش شعاع سیم پیچ فشارقوی بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 54 شکل ‏5‑6: اثر کاهش شعاع هر دو سیمپیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55 شکل ‏5‑7: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55 شکل ‏5‑8: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی بالا.. 56 شکل ‏5‑9: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، تغییر شکل درجه یک و درجه دو.. 58 شکل ‏5‑10: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور تست نوع اول فاز A در حالت سالم، جابه جایی شعاعی درجه یک و درجه دو.. 59 شکل ‏5‑11: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، جابهجایی محوری به میزان 100 میلیمتر در دو جهت بالا و پایین.. 60 شکل ‏5‑12: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، تغییر فضای بین دیسکی در دیسکهای بالایی و میانی به میزان 75 درصد ارتفاع اولیه بین دیسکها.. 61 شکل ‏5‑13: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، اتصال کوتاه ده دور در دیسک اول و ده دور در دیسکهای اول به همراه میانی.. 62 شکل ‏5‑14: دیاگرام ولتاژ- جریان.. 63 شکل ‏5‑15: دیاگرام ولتاژ-جریان برای حالت سالم و دو حالت معیوب با 20 و 30 درصد از دور اتصال کوتاه شده.. 64 شکل ‏6‑1: درخت تصمیم نمونه.. 68 شکل ‏6‑2: فایل متنی برای نرم افزار Weka. 72 شکل ‏6‑3: فلوچارت طبقه بندی.. 76 شکل ‏6‑4: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت 78 شکل ‏6‑5: درخت تصمیم اول- با هشت ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب 80 شکل ‏6‑6: درخت تصمیم دوم- با دو ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب 81 شکل ‏6‑7: درخت تصمیم سوم- با ده ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب :82 شکل ‏6‑8: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت 83 شکل ‏6‑9: درخت تصمیم با 32 ورودی : مقادیر آستانه پارامترهابه ترتیب :84 شکل ‏6‑10: درخت تصمیم با 8 ورودی : مقادیر آستانه پارامترها: ترتیب :85 شکل ‏6‑11: درخت تصمیم با چهل ورودی: مقادیر آستانه ترتیب :86  1- مقدمه 1- مقدمه یکی از سیستم­های مهم و پیچیده کهتاکنون ساخته شده است، سیستم قدرت می­باشد. سیستم الکتریکی قدرت نقش کلیدی در جوامع مدرن بازی می­کند. ترانسفورماتور­های قدرت[1] یکی از مهم­ترین اجزا در هر سیستم قدرتی می­باشند. در حقیقت ترانسفورماتور­های قدرت، نقش لینک ارتباطی بین بخش تولید و انتفال را بر عهده دارند و هر گونه خروج عدم برنامه­ریزی­شده آن، باعث قطع توان و خاموشی می­شود. ترانسفورماتور­های قدرت تحت شرایط بهره­برداری و محیطی مختلف، دچار آسیب­های متفاوتی می­شوند. بعضی از این خطا­ها و آسیب­ها بسیار شدید بوده و ادوات حفاطتی ترانسفورماتور را وادار به عملکرد کرده و به یکباره ترانسفورماتور را از مدار خارج می­کنند درحالیکه بعضی از خطا­ها این شدت را نداشته و ادوات حفاظتی به راحتی قادر به تشخیص آن­ها نخواهند بود. این دسته از خطا­ها در سیستم عایقی، سیم­پیچ­ها و هسته ترانسفورماتور­های قدرت رخ داده که تشخیص آن­ها مشکل می­باشد.از همین­رو به منظور ارزیابی وضعیت ترانسفورماتور­های قدرت، تست­ها و آزمایش­های مختلفی به صورت برنامه­ریزی­شده مبتنی بر زمان بر روی آن­ها انجام می­گیرد. اکثر این تست­ها در حالت نابهنگامانجام شده واین مستلزم خروج ترانسفورماتور از مدار بوده که از نظر قابلیت اطمینان سیستم و هزینه­های مربوط به قطع توان و خاموشی، بهینه و منطقی نمی­باشد. به دلیل اهمیت ترانسفورماتور­های قدرت و مشکل موجود در تست­های آفلاین، بهره­برداران به انجام تست­ها و تشخیص خطا به صورت بهنگام روی­آوردند تا به­طور دائم از وضعیت جاری ترانسفورماتور آگاهی داشته و از خروج غیربرنامه­ریزی شده ترانسفورماتور جلوگیری کنند و هزینه­های خروج را کاهش دهند. دریافت فایل

ردیاب گوشی

ردیاب گوشی ردیاب گوشی توضیح توجه: نسخه حمایتی نسخه اصلی میباشد و دارای سرعت بسیار سریعتری در ردیابی است,همچنین برعکس این نسخه هیچوقت غیر فعال نمیشود,لطفا آن را از لیست دیگر برنامه های ما نصب کنید لینک نسخه اصلی: لطفا همه توضیحات را با دقت بخوانید. همه روزه بسیاری از مردم تلفن همراه خود را گم میکنند. بدون شک این اتفاق برای بسیاری از اطرافیان شما و یا خود شما افتاده است. در این موارد با گوشی خود تماس میگیرید شاید کسی آن را پیدا کرده باشد و گوشی را به شما تحویل دهد. اما همیشه نمیتوان خوشبین بود. هزینه ایی که برای خرید این نرم افزار میکنید شاید یک هزارم هزینه ایی که برای خرید گوشی خود کرده اید. پس استفاده از این نرم افزار گاری کاملا منطقی است. گروه نرم افزاری آریکس با ارائه نرم افزار ردیاب گوشی احتمال گم شدن گوشی شما را برای همیشه از بین میبرد با نصب نرم افزار روی گوشی خود میتوانید کمتر از ۳۰ ثانیه مختصات لحظه ایی گوشی خود را از راه دور روی google map ببینید. آموزش استفاده : ۱- برنامه را نصب کنید ۲- تیک فعال سازی آن را بزنید ۳-کلمه ی امنیتی مخصوص ردیابی را وارد کنید. (برای مثال : salam ) ۴- ایمیل دریافت کننده اصلاعات ردیابی را وارد کنید. سپس از نرم افزار خارج شوید.گوشی شما آماده ردیابی است. حال زمانی که گوشی خود را گم کرده اید از طریق یک گوشی دیگر کلمه امنیتی را به گوشی خود ارسال کنید. سپس نرم افزار مختصات دقیق گوشی شما روی نقشه google map را در کمتر از یک دقیقه برای شما ایمیل میکند. برای مثال برای کد امنیتی کلمه ی salam را قرار میدهیم با ارسال هر متنی شامل کلمه ی salam ردیابی گوشی شما آغاز خواهد شد. لطفا حتما به ما ۵ ستاره دهید. اگر هم با نرم افزار مشکلی دارید ابتدا از طریق ایمیل یا پیامک به ما اطلاع دهید تا مشکل شما را برطرف کنیم. لطفا نظرات انتقادات و پیشنهادات خور را از طریق پیامک برای ما ارسال نمایید و از دیگر برنامه های ما دیدن فرمایید دسترسی‌ها ارسال پیامک ها دریافت پیام‌های نوشتاری (پیامک) موقعیت مکانی تقریبی (مبتنی بر شبکه) موقعیت مکانی دقیق (مبتنی بر GPS و شبکه) خواندن وضعیت تلفن و شناسه دسترسی کامل به اینترنت دریافت فایل

مجموعه مقالات-اموزش هاو هندبوک های انواع PLC ها

مجموعه مقالات-اموزش هاو هندبوک های انواع PLC ها   عناوین موجود در این مجموعه :(PDF) 1-اموزش کار با پی ال سی 250 صفحه  (فارسی) 2-اموزش کامل پی ال سی دلتا 33 صفحه  (فارسی) 3-آموزش کار با پی ال سی دلتا 19 صفحه (فارسی) 4-پی ال سی لوگو 33 صفحه (فارسی) 5-مینی پی ال سی لوگو 22 صفحه (فارسی) 6-پی ال سی STEP 5 (فارسی 77 صفحه) 7-پی ال سی STEP7 (فارسی 350 صفحه+450 صفحه) پی ال سی چیست؟ کنترل کننده ی برنامه پذیری است که از خانواده کامپیوتر ها به شمار می آید؛ این کنترل کننده عمدتا در مقاصد صنعتی به کار می رود. ورودی سیگنالهای متنوع دیجیتال یا آنالوگ را از field قبول می کند و سپس آنها را برای cpu به صورت سیگنالهای منطقی سیستم باینری تبدیل می نماید و cpu مطابق برنامه هایی که در آن ذخیره شده دستورات را اجرا و خروجی را به صورت سیگنالهای منطقی به خروجی می فرستد این سیگنالها می توانند به فرم آنالوگ یا دیجیتال به تجهیزات یا عملگرها ارسال شوند. PLC در جهت اهداف کنترلی و برای استفاده در محیط های صنعتی به کار گرفته شد چون به سادگی قابل برنامه پذیری بود و تغییر در سیستم کنترل با تغییر در نرم افزار برنامه کنترل به سهولت امکان پذیر بود؛ مزایای فوق به همراه کوچکتر شدن ابعاد سیستم کنترل ، عیب یابی سریع تر ، خرابی کمتر ، توانایی اجرای برنامه های پیچیده تر، توانایی تبادل اطلاعات با سیستم های دیگر و ... باعث شد که مدارهای رله ای به سرعت میدان را برای حضور PLC ها خالی کنند. انواع سیستم PLC: PLC ها را می توان از نظر اندازه حافظه یا تعداد ورودی و... می توان به انواع زیر تقسیم بندی کرد. PLC های کوچک: جایگزینی برای کنترل کننده های سنتی است. تابعیت گسترش محدود و حداکثر دو یا چند ورودی/خروجی دارند. و برنامه نویسی آنها، نردبانی یا با دستورات نمادی صورت می گیرد. PLC های متوسط: این PLC ها ساختار مدولار دارند در نتیجه توسعه و یا تغییر آنها ساده است و تنها با اضافه نمودن یا تغییر مدولها صورت می گیرد. تعداد ورودی/ خروجی زیاد و توسعه سیستم در آینده متصل می باشد. امکانات ارتباطی زیاد دارند و می توان از آنها در کنترل گسترده استفاده کرد و برنامه نویسی آنها نردبانی یا نمادی و یا دستورات گرافیکی است. PLC های بزرگ: در مواردی که تعداد ورودی ها/ خرروجی ها زیاد است و یا عملیات کنترلی پیچیده است از PLC های بزرگ استفاده می گردد از این PLC ها برای هدایت تعدادی PLC کوچک نیز استفاده می شود و برنامه نویسی این نوع PLC ها معمولا با استفاده از زبان های سطح بالا صورت می گیرد. دریافت فایل

قدم به قدم طراحی خودرو AUDI TT در نرم افزار سلید ورک

قدم به قدم طراحی خودرو AUDI TT در نرم افزار سلید ورک در مدل کردن یک بدنه اولین چیزی که شما نیاز دارید چهار نمای اصلی از یک بدنه خودرو میباشد شما ابتدا باید توسط فتوشاپ یا paint ویندوز این تصاویر را از هم جدا کرده و دقت کنید که لبه های برش بر روی خطهای اندازه گذاری در تصاویر قرار بگیرد.بعد این نماهای جلو، پهلو،بالا و عقب را همراه با تصویر اصلی در یک پوشه قرار دهید. سالید را باز کرده یک document جدید در part ایجاد کنید. plan روبرو را انتخاب کرده یک sketch ایجاد کنید.(اسم آنرا front بزارید.) از این مسیر تصویر مربوط باجلوی خودرو را وارد کنید. tools→sketch tools→sketch picture بعذ از وارد کردن تصویر در قسمت تنظیمات پنج کادر وجود دارد که دوتای اول مربوط به موقعیت تصویر در plan است x&y کادر سوم تغییر زاویه تصویر میباشد.(تصویر را می چرخاند) و کادر چهارم و پنجم مربوط به تغییر ابعاد تصویر است. (اگر با دقت به آیکون هر کادر دقت کنید متوجه می شوید) ابتدا تیک LOCK ASPECT RATIO را برداشته تا اندازه های تصویر را بتوان بدون (نسبت به یکدیگر) تغییر داد. تغییر اندازه X&Y تصویر از روی تصویر اصلی. مقدار X کادر اول را به میزان نصف اندازه عرض خودرو مقدار منفی بدهید تا تصویر به صورت قرینه در وسط PLAN قرار بگیرد. حال تیک LOCK ASPECT RATIO را بزارید تا تغییرات قفل شود. حالا باید رنگ سفید پس زمینه تصویر را محو کنیم تا پشت تصویر معلوم شود.برای این کار از قسمت پایین Transparency تیک گذینه user defined را بزارید. توسط قطره چکان رنگ مورد نظر را اتنخواب کرده و بعد Matching tolerance را تا آخر (1) قرار دهید و Transparency را 0.9 کنید (بستگی به خودتون دارد) تا اینجا تنظیمات لازم را برای وارد کردن یک تصویر گفتم. در ادامه با ایجاد یک sketch در plan کناری ، تصویر مربوط به بغل خودرو را وارد کرده . و با ایجاد یک sketch در plan بالا، تصویر مربوط به بالای خودرو را وارد کرده . در انجا باید تصویر را توسط کادر سوم 90 درجه بچرخانید تا جلو و عقب آن تنظیم شود. برای تصویر عقب ابتدا از قسمت Features→Refrence Geometry یک plan به اندازه طول خودرو ایجاد کرده و روی آن sketch عقب را ایجاد کنید. قبل از آنکه قسمت دوم را شروع کنم به این نکته توجه کنید که این بخش خیلی مهم است و مطالب اصلی طراحی در سالیدوکز(solidworks) را فرا گرفته است و در درسهای آینده شاید کمتر توضیح داده شوند. دریافت فایل جهت کپی مطلب از ctrl+A استفاده نمایید نماید